相比之下，数字低中频架构则能在数字I/Q校准后提供适当的镜像拒斥比，并且设计出不含电感的射频合成器。当本地射频振荡器不含电感时，就算同一个芯片集成了很大的数字解调器，它仍能将寄生参数耦合减至最小。环状振荡器则能大幅减少芯片使用面积，这对降低成本和减少基材寄生耦合都有帮助。另外，它还能提供较好的混附信号性能，射频频率也不会因为负载或电压变化而漂移(RFpullingandpushing)。在实际应用当中，双转换数字低中频调谐器并不会增加接收机的复杂性，因为零中频调谐器也需要在解调器中增加另一级数字混频电路，以补偿LNB振荡器频率漂移。这两种架构的主要区别在于，低中频调谐器的数值控制振荡器提供更大的调谐范围，因为它必须补偿LNB频率漂移，以及射频混频器下变频造成的一整群通道的中频中心点移动。

    低中频架构的一个缺点是，它需要带宽较大的中频电路，以及频率较高的数字解调器和前端ADC。这样虽然会增加功能，但此问题会随着90nm、65nm和更精密的CMOS工艺的不断成熟而逐渐减轻，这些先进工艺可以在规定的功率预算下，设计出更快的数字电路和更高带宽的模拟放大器。

    结语

    要实现单芯片DBS接收机，采用CMOS工艺的调谐器/解调器是一种低成本方案，低中频调谐器则是实现目标的理想架构。只要把更多的信号处理作业转移到数字域执行，系统对射频前端的要求就无需如此严格。随着现代深亚微米CMOS工艺的不断成熟，数字电路的速度越来越快，这种利用DSP解决模拟CMOS工艺非理想特性的方法将会变得更有意义。